[发明专利]一种金属衬底LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一金属衬底；

在所述金属衬底表面形成多个发光结构，所述发光结构包括设于所述金属衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于所述第二半导体层表面的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；

在所述发光结构表面涂布光刻胶，并去除所述发光结构之间分隔部的光刻胶，得到LED晶圆；

将所述LED晶圆固定在粘膜上，所述粘膜固定在可倾斜的移动平台上，所述移动平台向下倾斜角度为20-80度；

在所述移动平台固定有所述LED晶圆一侧设置两组喷头，所述两组喷头包括第一喷头和第二喷头，根据所述发光结构的大小、发光结构之间的距离调节第一喷头与所述第二喷头之间的距离、以及调整第一喷头和第二喷头的方向；

所述第一喷头对所述LED晶圆喷射金属腐蚀液，所述金属腐蚀液沿着发光结构之间的分隔部进入所述金属衬底，所述金属腐蚀液腐蚀裸露在分隔部的金属衬底，所述裸露在分隔部的金属衬底被腐蚀分割，形成单颗LED芯片，所述第二喷头对所述LED晶圆喷射超纯水，清洗附着在发光结构上的金属腐蚀液；

所述第一喷头对所述LED芯片喷射去胶液，所述第二喷头对所述LED芯片喷射超纯水，去除所述光刻胶；

将所述粘膜和所述LED芯片进行烘干，使LED芯片与粘膜自动分离，并对分离后的LED芯片进行分选。

2.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构的形成过程为：

在所述金属衬底任意表面形成所述第一半导体层；

在所述第一半导体层表面形成所述有源层；

在所述有源层表面形成所述第二半导体层；

采用刻蚀工艺将所述第一半导体层表面的预设区域裸露；

在所述第一半导体层表面的预设区域形成所述第一电极，且在所述第二半导体层表面形成所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘。

3.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述两组喷头与所述移动平台之间垂直设置。

4.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属衬底的材料为金、银、铜、镍、钼、钨中的一种或以上几种金属。

5.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层均为氮化镓基半导体层，所述有源层为氮化镓基有源层。

6.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属腐蚀液为碘化钾、氯化铁、氨水、双氧水、硝酸铵铈、硝酸、盐酸、硫酸中的一种或以上几种溶液。

7.根据权利要求1所述的金属衬底LED芯片的制作方法，其特征在于，所述去胶液为丙酮、异丙醇、酒精、N-甲基-2-吡咯烷酮中的一种或以上几种溶液。