[发明专利]一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供的一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法，在电极表面形成电极粘附层，并在LED芯片表面沉积绝缘层，所述绝缘层通过所述电极粘附层与所述第一电极和所述第二电极形成连接，保护所述第一电极和所述第二电极，减少水汽渗入，延长金属迁移距离，增加LED芯片使用寿命。

主权项

1.一种抗金属迁移的LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括依次形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层表面设有预留区域；在所述第二半导体层表面形成透明导电层，得到LED晶圆；在LED晶圆表面形成负性光刻胶层，并对所述负性光刻胶层进行光刻，在所述第一半导体层表面的预留区域形成第一裸露区域，在所述透明导电层表面形成第二裸露区域，所述第一裸露区域纵向截面的侧边与所述第一半导体层的线面角为θ1，所述第二裸露区域纵向截面的侧边与所述透明导电层的线面角为θ2；在所述第一裸露区域形成第一电极，在所述第二裸露区域形成第二电极，在所述第一电极表面和所述第二电极表面形成电极粘附层，得到LED芯片半成品；去除所述负性光刻胶层，并在LED芯片半成品表面形成绝缘层;对所述绝缘层进行刻蚀，贯穿所述绝缘层和电极粘附层，在第一电极表面形成第一孔洞，在第二电极表面形成第二孔洞。