[发明专利]一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种抗金属迁移的LED芯片的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括依次形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层表面设有预留区域；

在所述第二半导体层表面形成透明导电层，得到LED晶圆；

在LED晶圆表面形成负性光刻胶层，并对所述负性光刻胶层进行光刻，在所述第一半导体层表面的预留区域形成第一裸露区域，在所述透明导电层表面形成第二裸露区域，所述第一裸露区域纵向截面的侧边与所述第一半导体层的线面角为θ1，所述第二裸露区域纵向截面的侧边与所述透明导电层的线面角为θ2；

在所述第一裸露区域形成第一电极，在所述第二裸露区域形成第二电极，在所述第一电极表面和所述第二电极表面形成电极粘附层，得到LED芯片半成品；

去除所述负性光刻胶层，并在LED芯片半成品表面形成绝缘层;

对所述绝缘层进行刻蚀，贯穿所述绝缘层和电极粘附层，在第一电极表面形成第一孔洞，在第二电极表面形成第二孔洞。

2.据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，形成所述发光微结构的具体步骤包括：

在所述第二半导体层表面形成正性光刻胶层；

对所述正性光刻胶层进行光刻，贯穿所述正性光刻胶层，使所述正性光刻胶层纵向截面的侧边与所述第二半导体层的线面角为θ；

沿着所述正性光刻胶层侧边对所述第二半导体层进行刻蚀，形成贯穿所述第二半导体层和所述有源层，并延伸至所述第一半导体层的预留区域，所述预留区域纵向截面的侧边与所述第一半导体层的线面角为θ’；

去除所述正性光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述θ’大于九十度。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述θ1和所述θ2均小于九十度。

5.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述θ1等于所述θ2。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺，在所述第一裸露区域沉积填充金属层形成第一电极，在所述第二裸露区域沉积填充金属层形成第二电极。

7.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在LED芯片表面沉积绝缘层。

8.一种抗金属迁移的LED芯片包括：

衬底；

位于衬底表面的缓冲层和发光结构，所述发光结构包括从下往上依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

位于第一半导体层表面的第一电极；

位于所述第二半导体层表面的透明导电层；

位于所述透明导电层表面的第二电极；

位于所述第一电极表面和所述第二电极表面的电极粘附层；

覆盖在发光结构、透明导电层、第一电极和第二电极上的绝缘层；

贯穿所述绝缘层和所述电极粘附层，在所述第一电极表面的第一孔洞，在所述第二电极表面的第二孔洞。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为Cr、Ni、Al、Ti、Au、Pt、W、Pb、Rh、Sn、Cu、Ag中的一种或以上几种金属。

10.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述电极粘附层的材料为Ni、Al、Ti中的一种或以上几种金属。