[发明专利]一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供的一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法，在电极表面形成电极粘附层，并在LED芯片表面沉积绝缘层，所述绝缘层通过所述电极粘附层与所述第一电极和所述第二电极形成连接，保护所述第一电极和所述第二电极，减少水汽渗入，延长金属迁移距离，增加LED芯片使用寿命。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

其中，LED芯片在封装过程中，封装方式、封装时的材料以及封装环境对LED芯片的性能都存在较大的影响。在LED芯片的封装过程中，水气渗入不可避免，导致封装材料内部导线与芯片电极发生水解变质，出现金属迁移，使LED芯片表面析出导电金属材质，进而使LED芯片的正负电极导通，引起漏电；另外，水汽渗入的导电离子驻留在LED芯片的表面，增加漏电风险，从而影响LED芯片的光电性能。

现有技术只能在封装过程中，通过减少水汽的渗入，增加迁移金属的导通距离，避免在高频高刷的使用环境下，因水解原因影响LED芯片的光电性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法，通过对LED芯片金属电极进行表面包覆，防止水汽渗入，延长导线、金属电极因发生水解反应使正负极导通的距离，避免LED芯片漏电，延长LED芯片使用寿命。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种抗金属迁移的LED芯片的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括依次形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层表面设有预留区域；

在所述第二半导体层表面形成透明导电层，得到LED晶圆；

在LED晶圆表面形成负性光刻胶层，并对所述负性光刻胶层进行光刻，在所述第一半导体层表面的预留区域形成第一裸露区域，在所述透明导电层表面形成第二裸露区域，所述第一裸露区域纵向截面的侧边与所述第一半导体层的线面角为θ1，所述第二裸露区域纵向截面的侧边与所述透明导电层的线面角为θ2；

在所述第一裸露区域形成第一电极，在所述第二裸露区域形成第二电极，在所述第一电极表面和所述第二电极表面形成电极粘附层，得到LED芯片半成品；

去除所述负性光刻胶层，并在LED芯片半成品表面形成绝缘层;

对所述绝缘层进行刻蚀，贯穿所述绝缘层和电极粘附层，在第一电极表面形成第一孔洞，在第二电极表面形成第二孔洞。

优选的，形成所述发光微结构的具体步骤包括：

在所述第二半导体层表面形成正性光刻胶层；

对所述正性光刻胶层进行光刻，贯穿所述正性光刻胶层，使所述正性光刻胶层纵向截面的侧边与所述第二半导体层的线面角为θ；

沿着所述正性光刻胶层侧边对所述第二半导体层进行刻蚀，形成贯穿所述第二半导体层和所述有源层，并延伸至所述第一半导体层的预留区域，所述预留区域纵向截面的侧边与所述第一半导体层的线面角为θ’；

去除所述正性光刻胶层。

优选的，所述θ’大于九十度。

优选的，所述θ1和所述θ2均小于九十度。