[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710465608.5 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206217B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一材料层，其包含多个鳍状结构的阵列；以及在该材料层上进行一鳍状物切割制程，以移除该些鳍状结构的子集，其中该鳍状物切割制程包括：依据一切割图案露出该些鳍状结构的子集，其部份地露出该些鳍状结构的子集的至少一鳍状结构，以及移除露出的该些鳍状结构的子集。
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