[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置的形成方法，更特别关于鳍状结构的图案化工艺。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进步使每一代的集成电路，比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路进化中，功能密度(比如单位芯片面积所含的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如工艺所能形成的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺有利于增加产能并降低相关成本。

上述尺寸缩小亦增加工艺复杂度。为了实现集成电路工艺的尺寸缩小，集成电路工艺亦需类似发展。举例来说，鳍状场效晶体管技术朝更小的结构尺寸如32纳米、28纳米、20纳米、或更小尺寸进展。鳍状场效晶体管的图案化工艺明显受限于工艺边界减少，比如减少覆盖边界。综上所述，虽然现有的鳍状物图案化工艺通常适用于其发展目的，但仍未适用于所有方面。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成材料层，其包含多个鳍状结构的阵列；以及在材料层上进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集，其中鳍状物切割工艺包括：依据切割图案露出鳍状结构的子集，其部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构，以及移除露出的鳍状结构的子集。

附图说明

图1多种实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

图2A至2I本发明多种实施例中，部份或全部鳍状场效晶体管装置于图1的方法的多种工艺阶段中的剖视图。

图3A至3D本发明多种实施例中，部份或全部鳍状场效晶体管装置于鳍状物切割工艺的多种阶段中的上视图。

图4A至4I本发明多种实施例中，部份或全部鳍状场效晶体管装置于图1的方法的多种工艺阶段中的剖视图。

图5A至5F本发明多种实施例中，部份或全部的另一鳍状场效晶体管装置于图1的方法的多种工艺阶段中的剖视图。

图6A与6B本发明多种实施例中，部份或全部的鳍状场效晶体管装置于鳍状物切割工艺的阶段中的多种图式。

图7A至7F本发明多种实施例中，部份或全部的另一鳍状场效晶体管装置于图1的方法的多种工艺阶段中的剖视图。

【符号说明】

S、S1间隔

P、P1间距

w宽度

100方法

110、120、130、140步骤200、300、400、500鳍状场效晶体管装置

210、410基板

220图案层

222底图案层

224中间图案层

226较上图案层

230芯层

232芯

232A保护的芯

232B未保护的芯