[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一材料层，其包含多个鳍状结构的阵列；

直接形成一保护材料层于该材料层上，其中该保护材料层覆盖该些鳍状结构的阵列；以及

在该材料层上进行一鳍状物切割工艺，以移除该些鳍状结构的子集，其中该鳍状物切割工艺包括：

依据一切割图案露出该些鳍状结构的子集与覆盖该些鳍状结构的子集的该保护材料层，其中该切割图案部分 地露出该些鳍状结构的子集的至少一鳍状结构，且该切割图案定义于一图案化的层状物中；

移除覆盖该些鳍状结构的子集的该保护材料层，其中该保护材料层自该至少一鳍状结构的一第一侧壁移除，使得该保护材料层保留于该至少一鳍状结构的一第二侧壁上；

移除露出的该些鳍状结构的子集；以及

在进行任何后续工艺之前，移除残留的该保护材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该切割图案露出该至少一鳍状结构的一上表面的一部分及该第一侧壁且未露出该至少一鳍状结构的该上表面的另一部分及该第二侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中露出步骤还包括：

形成一图案化的光阻层于该保护材料层上，该图案化的光阻层具有一开口定义于其中，且该开口与至少一该鳍状结构部分 重叠；以及

移除该开口中露出的部分 该保护材料层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该材料层与该保护材料层的材料，在用以移除该保护材料层的蚀刻工艺中，与在用以移除露出的该鳍状结构的子集的蚀刻工艺中具有蚀刻选择性。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该保护材料层填入该些鳍状结构之间的空间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该保护材料层顺应性地覆盖该些鳍状结构。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺，该材料层为芯层而该些鳍状结构为芯，且在进行鳍状物切割工艺之后采用该芯层图案化一下方层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括图案化基板以形成多个鳍状物，其中该材料层为该基板而该些鳍状结构为该些鳍状物，且该鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该些鳍状结构的阵列具有一间距，且该鳍状切割工艺改变该些鳍状结构的阵列的该间距。

10.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成多个芯于一基板上；

直接形成一保护材料层于该些芯上，其中该保护材料层覆盖该些芯；

移除部分 的该保护材料层，以部分 地露出该些芯的一芯；

移除部分 露出的该芯，其中部分 地露出该芯的步骤包括自该芯的一第一侧壁移除该保护材料层，而该保护材料层仍保留于该芯的一第二侧壁上；以及

之后采用该些芯图案化一下方层，并在图案化该下方层之前移除所有残留的保护材料层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其中移除部分 该保护材料层的步骤包括选择性地蚀刻该保护材料层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中移除部分 该保护材料层的步骤还包括形成一图案化的光阻层于该保护材料层上，该图案化的光阻层具有一开口定义其中，且该开口与该芯部分 重叠，并选择性地蚀刻该开口中的该保护材料层。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其中移除部分 露出的该芯的步骤包括选择性地蚀刻部分 露出的该芯。