[发明专利]测试单元阵列的方法及执行其的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201710463331.2 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN107919160B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 沈荣辅 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/42;G11C29/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 任静;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件包括:模式数据发生电路,其产生模式数据;数据比较电路,其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据,以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码;以及故障标志发生电路,其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。
搜索关键词: 测试 单元 阵列 方法 执行 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:模式数据发生电路,其被配置为产生模式数据;数据比较电路,其被配置为接收通过读取操作从包括在半导体器件的核心区域中的单元阵列输出的读取数据,以及被配置为将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码;以及故障标志发生电路,其被配置为将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。
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