[发明专利]测试单元阵列的方法及执行其的半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：模式数据发生电路，其产生模式数据；数据比较电路，其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据，以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及故障标志发生电路，其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月6日提交的第10-2016-0129364号的韩国申请的优先权，该韩国申请如在本文中充分地阐述地通过引用全部合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及测试单元阵列的方法，更具体地，涉及测试单元阵列的方法及执行其的半导体器件。

背景技术

近来，已经使用在每个时钟周期时间期间接收和输出四比特位数据或八比特位数据的DDR2方案或DDR3方案，以提高半导体器件的操作速度。随着半导体器件的数据传输速度变得更快，在数据传输期间可能发生错误的概率增加。因此，提出了新的设计方案以提高数据传输的可靠性。

每当在半导体器件中传输数据时，可以产生能够检测错误发生的错误码，并且错误码与数据一起被传输，以提高数据传输的可靠性。即，已经使用错误校正电路来提高数据传输的可靠性。

发明内容

在根据本发明的实施例中，半导体器件包括：模式数据发生电路，其产生模式数据；数据比较电路，其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据，以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及故障标志发生电路，其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。

根据另一个实施例，半导体器件包括存储电路和故障测试电路。存储电路包括其中通过写入操作储存有写入数据的单元阵列，以及存储电路在读取操作期间将储存在单元阵列中的数据输出为读取数据。故障测试电路将读取数据与响应于写入数据产生的模式数据进行比较，以确定包括在读取数据中的故障比特位的数量。此外，如果包括在读取数据中的故障比特位的数量等于或大于故障比特位的设定数量，则故障测试电路产生被使能的故障标志。

根据又一个实施例，测试单元阵列的方法包括：将写入数据储存到核心区域中，产生模式数据，将储存在核心区域中的写入数据输出为读取数据，以及将读取数据与模式进行比较数据以产生故障标志。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本发明的上述和其它特征以及优点将变得明显，其中：

图1是图示根据实施例的半导体器件的配置的框图；

图2是图示用于根据在图1的半导体器件中故障比特位的预定数量来产生故障标志的操作的表格；

图3是图示在图1所示的半导体器件的操作的流程图；

图4是图示采用在图1所示的半导体器件的半导体模块的示例的框图；

图5是图示采用在图1所示的半导体器件的电子系统的配置的框图；以及

图6是图示采用在图1所示的半导体器件的另一电子系统的配置的框图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更详细地说明根据本发明的实施例。尽管本发明参考其多个示例性实施例来描述，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出许多其它修改和变化，这些修改和变化将落在本发明的精神和范围内。

如图1所示，在根据本发明的实施例中的半导体器件可以包括焊盘电路1、缓冲电路2、内部地址发生电路3、存储电路4、故障测试电路5以及故障地址储存电路6。焊盘电路1可以包括第一焊盘11和第二焊盘12。

缓冲电路2可以包括数据输入缓冲器21、数据输出缓冲器22以及地址缓冲器23。