[发明专利]测试单元阵列的方法及执行其的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

模式数据发生电路，其被配置为响应于写入数据或者内部地址产生模式数据；

数据比较电路，其被配置为接收通过读取操作从包括在半导体器件的核心区域中的单元阵列输出的读取数据，以及被配置为将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及

故障标志发生电路，其被配置为将故障码与设定码进行比较以产生故障标志，

其中，所述写入数据在写入操作被执行时经由第一焊盘被输入，所述内部地址在所述写入操作被执行时经由第二焊盘被输入。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，模式数据被设定为具有与在所述写入操作期间被输入到核心区域的所述写入数据相同的逻辑电平组合。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，故障码具有与包括在读取数据中的故障比特位的数量相对应的逻辑电平组合。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，设定码是由外部设备提供的信号或者在初始化操作期间内部产生并储存的信号，以便设定故障比特位的数量。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，如果包括在读取数据中的故障比特位的数量等于或大于由设定码确定的故障比特位的设定数量，则故障标志发生电路产生被使能的故障标志。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

故障地址储存电路，其被配置为响应于故障标志来将内部地址储存在其中，以及被配置为响应于储存的内部地址来产生用于执行包括在核心区域中的单元阵列的修复操作的熔丝数据。

7.一种半导体器件，包括：

存储电路，其被配置为包括其中通过写入操作储存有写入数据的单元阵列，以及被配置为在读取操作期间将储存在单元阵列中的数据输出为读取数据；以及

故障测试电路，其被配置为在模式数据响应于写入数据或者内部地址来产生的情况下，将读取数据与产生的模式数据进行比较，以确定包括在读取数据中的故障比特位的数量，以及故障测试电路被配置为如果包括在读取数据中的故障比特位的数量等于或大于故障比特位的设定数量，则产生被使能的故障标志，

其中，所述写入数据在写入操作被执行时经由第一焊盘被输入，所述内部地址在所述写入操作被执行时经由第二焊盘被输入。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，模式数据被设定为具有与写入数据相同的逻辑电平组合。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，故障测试电路包括：

模式数据发生电路，其被配置为产生模式数据；

数据比较电路，其被配置为接收通过读取操作从包括在存储电路中的单元阵列输出的读取数据，以及被配置为将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码；以及

故障标志发生电路，其被配置为将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，故障码具有与包括在读取数据中的故障比特位的数量相对应的逻辑电平组合。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，设定码是由外部设备提供的信号或者在初始化操作期间内部产生并储存的信号，以设定故障比特位的数量。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，如果包括在读取数据中的故障比特位的数量等于或大于故障比特位的设定数量，则故障标志发生电路产生被使能的故障标志。

13.如权利要求7所述的半导体器件，还包括故障地址储存电路，所述故障地址储存电路被配置为响应于故障标志来将内部地址储存在其中，以及被配置为响应于储存的内部地址来产生用于执行包括在核心区域中的单元阵列的修复操作的熔丝数据。