[发明专利]柔性TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种柔性TFT基板的制作方法，在沉积层间介电层的氧化硅层之后，在对应于有源层两侧的上方形成第一接触孔，同时在柔性衬底基板上方形成缓冲孔，然后在氧化硅层上涂布有机光阻材料，并在涂布过程中使该有机光阻材料填充到缓冲孔中，形成有机光阻层，进而得到由氧化硅层和有机光阻层共同组成的层间介电层，然后对有机光阻层进行图案化，形成对应于第一接触孔上方的连接孔，从而使得后续源漏极通过第一接触孔和连接孔与有源层进行连接，本发明通过将传统的层间介电层中的氮化硅层替换为柔韧性好的有机光阻层，并在柔性衬底基板上方设置有机光阻材料填充的缓冲孔，可以大幅度提升柔性TFT基板的物理可弯折性，改善产品性能。

主权项

1.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、提供柔性衬底基板(10)，在所述柔性衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上沉积并图案化形成有源层(31)，在所述有源层(31)及缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积并图案化形成栅极(32)；/n步骤S2、在所述栅极(32)及栅极绝缘层(40)上沉积一氧化硅层(51)，对所述氧化硅层(51)及栅极绝缘层(40)进行图案化处理，在对应于所述有源层(31)两侧的上方分别形成第一接触孔(511)，同时在所述衬底基板(10)的上方形成与所述第一接触孔(511)相间隔的缓冲孔(513)，所述第一接触孔(511)贯穿所述氧化硅层(51)及栅极绝缘层(40)而露出所述有源层(31)的两侧，所述缓冲孔(513)的尺寸大于所述第一接触孔(511)的尺寸，所述缓冲孔(513)的深度大于所述第一接触孔(511)的深度；/n步骤S3、在所述氧化硅层(51)上涂布有机光阻材料，形成有机光阻层(52)，在涂布过程中，该有机光阻材料填充所述缓冲孔(513)，所述氧化硅层(51)与有机光阻层(52)共同构成层间介电层(50)，然后对所述有机光阻层(52)进行图案化处理，在对应所述第一接触孔(511)的上方形成连接孔(521)，从而露出第一接触孔(511)；/n步骤S4、在所述层间介电层(50)上沉积并图案化形成源极(33)与漏极(34)，所述源极(33)与漏极(34)通过所述第一接触孔(511)和连接孔(521)分别与所述有源层(31)的两侧相接触。/n