[发明专利]柔性TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供柔性衬底基板(10)，在所述柔性衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上沉积并图案化形成有源层(31)，在所述有源层(31)及缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积并图案化形成栅极(32)；

步骤S2、在所述栅极(32)及栅极绝缘层(40)上沉积一氧化硅层(51)，对所述氧化硅层(51)及栅极绝缘层(40)进行图案化处理，在对应于所述有源层(31)两侧的上方分别形成第一接触孔(511)，同时在所述衬底基板(10)的上方形成与所述第一接触孔(511)相间隔的缓冲孔(513)，所述第一接触孔(511)贯穿所述氧化硅层(51)及栅极绝缘层(40)而露出所述有源层(31)的两侧，所述缓冲孔(513)的尺寸大于所述第一接触孔(511)的尺寸，所述缓冲孔(513)的深度大于所述第一接触孔(511)的深度；

步骤S3、在所述氧化硅层(51)上涂布有机光阻材料，形成有机光阻层(52)，在涂布过程中，该有机光阻材料填充所述缓冲孔(513)，所述氧化硅层(51)与有机光阻层(52)共同构成层间介电层(50)，然后对所述有机光阻层(52)进行图案化处理，在对应所述第一接触孔(511)的上方形成连接孔(521)，从而露出第一接触孔(511)；

步骤S4、在所述层间介电层(50)上沉积并图案化形成源极(33)与漏极(34)，所述源极(33)与漏极(34)通过所述第一接触孔(511)和连接孔(521)分别与所述有源层(31)的两侧相接触。

2.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成所述第一接触孔(511)及缓冲孔(513)的具体过程为：在所述氧化硅层(51)上涂布光阻材料，利用掩膜板对该层光阻材料进行曝光、及显影后，得到遮挡光阻层，该遮挡光阻层上具有分别用于形成所述第一接触孔(511)和缓冲孔(513)的第一开口和第二开口，以该遮挡光阻层为遮蔽层，对所述氧化硅层(51)及栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻，在该第一开口下方对应形成第一接触孔(511)，同时在该第二开口下方对应形成缓冲孔(513)，然后去除遮挡光阻层。

3.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲孔(513)比第一接触孔(511)宽5-10μm。

4.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有机光阻层(52)的材料为聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S5、在所述源极(33)、漏极(34)及层间介电层(50)上形成平坦层(60)，对所述平坦层(60)进行图案化处理，在对应于所述漏极(34)上方形成第二接触孔(601)，在所述平坦层(60)上沉积并图案化形成像素电极(75)，所述像素电极(75)通过所述第二接触孔(601)与漏极(34)相接触，在所述像素电极(75)及平坦层(60)上形成像素定义层(80)，在所述像素定义层(80)上形成支撑物(95)；

所述像素定义层(80)上设有对应于所述像素电极(75)上方的开口(85)，该开口(85)限定出OLED发光区，所述像素电极(75)为OLED阳极。

6.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中形成所述有源层(31)的具体过程为：在缓冲层(20)上沉积非晶硅薄膜，通过准分子镭射退火结晶工艺使所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜，然后对该多晶硅薄膜进行图案化处理，得到有源层(31)。

7.如权利要求1所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：以所述栅极(32)为遮蔽层，对所述有源层(31)的两侧进行P型掺杂。

8.如权利要求7所述的柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中进行P型掺杂时，向所述有源层(31)中掺入的离子为硼离子。