[发明专利]柔性TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种柔性TFT基板的制作方法，在沉积层间介电层的氧化硅层之后，在对应于有源层两侧的上方形成第一接触孔，同时在柔性衬底基板上方形成缓冲孔，然后在氧化硅层上涂布有机光阻材料，并在涂布过程中使该有机光阻材料填充到缓冲孔中，形成有机光阻层，进而得到由氧化硅层和有机光阻层共同组成的层间介电层，然后对有机光阻层进行图案化，形成对应于第一接触孔上方的连接孔，从而使得后续源漏极通过第一接触孔和连接孔与有源层进行连接，本发明通过将传统的层间介电层中的氮化硅层替换为柔韧性好的有机光阻层，并在柔性衬底基板上方设置有机光阻材料填充的缓冲孔，可以大幅度提升柔性TFT基板的物理可弯折性，改善产品性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性TFT基板的制作方法。

背景技术

在显示技术领域，平板显示技术已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，简称CRT)显示器。平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求，且可以应用在柔性OLED基板上，近几年引起了广泛的关注。

在TFT基板中薄膜晶体管的栅电极与栅极线位于同一层，共同构成第一金属层，薄膜晶体管的源电极、漏电极、和数据线位于同一层，共同构成第二金属层，在第一金属层和第二金属层之间需要设置层间介电(Interlayer Dielectric，ILD)层作为隔离第一金属层与第二金属层的绝缘层。目前，传统的柔性(flexible)TFT基板中，ILD层通常为由一氧化硅(SiOx)层和一氮化硅(SiNx)层所组成的双层无机膜层结构。但是由于近年来柔性TFT技术对弯折性的要求越来越高，因而常规的叠层无机膜ILD材料难以满足柔性基板的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种柔性TFT基板的制作方法，可以有效提升柔性TFT基板的物理可弯折性，改善产品性能。

为实现上述目的，本发明提供一种柔性TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供柔性衬底基板，在所述柔性衬底基板上沉积缓冲层，在所述缓冲层上沉积并图案化形成有源层，在所述有源层及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并图案化形成栅极；

步骤S2、在所述栅极及栅极绝缘层上沉积一氧化硅层，对所述氧化硅层及栅极绝缘层进行图案化处理，在对应于所述有源层两侧的上方分别形成第一接触孔，同时在所述衬底基板的上方形成与所述第一接触孔相间隔的缓冲孔，所述第一接触孔贯穿所述氧化硅层及栅极绝缘层而露出所述有源层的两侧，所述缓冲孔的尺寸大于所述第一接触孔的尺寸，所述缓冲孔的深度大于所述第一接触孔的深度；