[发明专利]半导体管芯切割方法在审
| 申请号： | 201710454489.3 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107527865A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞顿 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开描述了半导体管芯切割方法。具体实施方式可以包括提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括位于所述半导体晶圆的第一面上的多个管芯，其中所述多个管芯包括期望的厚度。所述方法可以包括从所述半导体晶圆的所述第一面将多个沟槽蚀刻到所述半导体晶圆中，其中所述多个沟槽位于所述多个管芯的周边附近。所述多个沟槽的深度可以大于所述多个管芯的所述期望的厚度。所述方法可还包括将所述半导体晶圆的所述第一面安装到带上，减薄所述半导体晶圆的第二面，在减薄所述第二面的同时暴露所述多个沟槽，以及通过暴露所述多个沟槽来切割所述多个管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 管芯 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种切割多个管芯的方法，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括位于所述半导体晶圆的第一面上的多个管芯，所述多个管芯包括期望的厚度；从所述半导体晶圆的所述第一面将多个沟槽蚀刻到所述半导体晶圆中，所述多个沟槽位于所述多个管芯的周边附近并且所述多个沟槽的深度大于所述多个管芯的所述期望的厚度；将所述半导体晶圆的所述第一面安装到带上；减薄所述半导体晶圆的第二面；在减薄所述第二面的同时暴露所述多个沟槽；以及通过暴露所述多个沟槽来切割所述多个管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
