[发明专利]半导体管芯切割方法

权利要求书

1.一种切割多个管芯的方法，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括位于所述半导体晶圆的第一面上的多个管芯，所述多个管芯包括期望的厚度；

从所述半导体晶圆的所述第一面将多个沟槽蚀刻到所述半导体晶圆中，所述多个沟槽位于所述多个管芯的周边附近并且所述多个沟槽的深度大于所述多个管芯的所述期望的厚度；

将所述半导体晶圆的所述第一面安装到带上；

减薄所述半导体晶圆的第二面；

在减薄所述第二面的同时暴露所述多个沟槽；以及

通过暴露所述多个沟槽来切割所述多个管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述多个沟槽还包括使用钝化材料、金属材料、光刻掩模、临时膜、荫罩掩模及其任意组合中的一者限定所述多个沟槽的图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶圆包括硅，并且蚀刻所述多个沟槽还包括使用波希深反应离子蚀刻(DRIE)工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻所述多个沟槽之后执行以下操作中的一项：

在所述多个管芯上形成多个凸块；

测试所述多个管芯中的一个或多个；

探查所述多个管芯中的一个或多个；

将存储器数据添加到所述多个管芯中的一个或多个；

在所述多个管芯中的一个或多个的表面上形成可焊接表面；以及

它们的任意组合。

5.一种切割多个管芯的方法，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括位于所述半导体晶圆的第一面上的多个管芯，所述多个管芯包括期望的厚度；

从所述半导体晶圆的所述第一面将多个沟槽蚀刻到所述半导体晶圆中，所述多个沟槽位于所述多个管芯的周边附近并且所述多个沟槽的深度大于所述多个管芯的所述期望的厚度；

将所述半导体晶圆的所述第一面安装到背磨带上；

将所述半导体晶圆的第二面减薄到所述半导体晶圆的所述第二面与所述多个沟槽的所述深度之间的预定的距离；

从所述背磨带卸下所述半导体晶圆的所述第一面；

将所述半导体晶圆的所述第一面安装到拾取带上；

对所述半导体晶圆的所述第二面进行蚀刻和研磨中的一项，以暴露所述多个沟槽；以及

通过暴露所述多个沟槽来切割所述多个管芯。

6.根据权利要求5所述的方法，其中蚀刻所述多个沟槽还包括使用钝化材料、金属材料、光刻掩模、临时膜、荫罩掩模及其任意组合中的一者限定所述多个沟槽的图案。

7.一种切割多个管芯的方法，所述方法包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括位于所述半导体晶圆的第一面上的多个管芯，所述多个管芯包括期望的厚度；

从所述半导体晶圆的所述第一面将多个沟槽蚀刻到所述半导体晶圆中，所述多个沟槽位于所述多个管芯的周边附近并且所述多个沟槽的深度大于所述多个管芯的所述期望的厚度；

将所述半导体晶圆的所述第一面安装到背磨带上；

将所述半导体晶圆的第二面减薄到所述半导体晶圆的所述第二面与所述多个沟槽的所述深度之间的预定的距离；

从所述背磨带卸下所述半导体晶圆的所述第一面；

将所述半导体晶圆的所述第二面安装到拾取带上；

从所述半导体晶圆的所述第一面，蚀刻穿过所述半导体晶圆的所述第二面与所述多个沟槽的所述深度之间的所述预定的距离以切割所述多个管芯。

8.根据权利要求7所述的方法，其中蚀刻所述多个沟槽还包括使用钝化材料、金属材料、光刻掩模、临时膜、荫罩掩模及其任意组合中的一者限定所述多个沟槽的图案。