[发明专利]一种半导体器件形成方法在审
| 申请号： | 201710439044.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107275220A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李亭亭;项金娟;唐波;李俊峰;赵超;林福江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵秀芹,王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的形成方法，其包括提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成假栅、栅极侧墙和源漏区；去除假栅，以在假栅所在位置形成栅极沟槽；在栅极沟槽底部形成栅极介质层；向形成有栅极介质层的栅极沟槽内填充栅极材料，以在栅极介质层上方形成栅极功函数层；栅极材料为功函数值能够调节的材料。如此，本申请实施例采用功函数可调的栅极材料形成半导体器件的栅极结构，因此，通过本申请实施例提供的半导体器件的形成方法，能够较好地控制半导体器件的阈值电压，进而有利于提高整个半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成假栅、栅极侧墙和源漏区；去除所述假栅，以在所述假栅所在位置形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽底部形成栅极介质层；向形成有所述栅极介质层的栅极沟槽内填充栅极材料，以在所述栅极介质层上方形成栅极功函数层；所述栅极材料为功函数值能够调节的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
