[发明专利]一种半导体器件形成方法在审
| 申请号： | 201710439044.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107275220A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李亭亭;项金娟;唐波;李俊峰;赵超;林福江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵秀芹,王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成假栅、栅极侧墙和源漏区；
去除所述假栅，以在所述假栅所在位置形成栅极沟槽；
在所述栅极沟槽底部形成栅极介质层；
向形成有所述栅极介质层的栅极沟槽内填充栅极材料，以在所述栅极介质层上方形成栅极功函数层；所述栅极材料为功函数值能够调节的材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功函数值能够调节的材料为钛合金和/或钽合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钛合金为碳铝钛合金、或氮铝钛合金，所述碳铝钽合金或氮铝钽合金。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极介质层上填充栅极材料，具体为：采用原子层沉积工艺在所述栅极介质层上填充栅极材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述栅极介质层上填充栅极材料中，采用的温度为300～400℃。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为ETSOI衬底。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成源漏区，具体包括：
在位于所述假栅两侧的ETSOI衬底的上方外延半导体材料层；
向所述半导体材料层以及所述半导体材料层下方的ETSOI衬底的顶层硅内进行离子注入，以在所述半导体材料层和其下方的顶层硅内形成源漏区。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当半导体器件为NMOS器件时，所述半导体材料层为硅碳化合物；
当半导体器件为PMOS器件时，所述半导体材料层为锗硅。
9.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述栅极介质层为高k介电材料。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为NMOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
