[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用有效
| 申请号： | 201710438196.6 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107475716B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁承宰;朴升煜;田玹守 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;宋海花 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用。上述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，上述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 蚀刻 组合 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极配线的步骤；在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，所述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
