[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用有效

专利信息
申请号: 201710438196.6 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN107475716B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 梁承宰;朴升煜;田玹守 申请(专利权)人: 东友精细化工有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金鲜英;宋海花
地址: 韩国全*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 金属膜 蚀刻 组合 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成栅极配线的步骤;

在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤;

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤;

在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤;及

形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤,

所述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后,利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤,

所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后,利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤,

所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5 ~ 25重量%、含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、环状胺化合物0.1 ~ 5重量%、磷酸氢钠0.1 ~ 5.0重量%、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、多元醇型表面活性剂0.1 ~5.0重量%、乙酸钠0.5 ~ 10.0重量%和余量的水,所述环状胺化合物为5-甲基-1H-四唑,所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0,其中,对于铜系金属膜的微细图案可形成指数 = 侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,所述显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

3.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,所述铜系金属膜为包含钼层和形成于所述钼层上的铜层的铜钼膜、或包含钼合金层和形成于所述钼合金层上的铜层的铜钼合金膜。

4.一种触摸传感器基板的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成栅极配线的步骤;

在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤;

在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤;

在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤;

形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤;及

形成触摸传感器配线的步骤,

所述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后,利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤,

所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后,利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤,

所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5 ~ 25重量%、含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、环状胺化合物0.1 ~ 5重量%、磷酸氢钠0.1 ~ 5.0重量%、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、多元醇型表面活性剂0.1 ~5.0重量%、乙酸钠0.5 ~ 10.0重量%和余量的水,所述环状胺化合物为5-甲基-1H-四唑,所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0,其中,对于铜系金属膜的微细图案可形成指数 = 侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。

5.一种铜系金属膜的蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含:

过氧化氢5 ~ 25重量%、

含氟化合物0.01 ~ 1.0重量%、

环状胺化合物0.1 ~ 5重量%、

磷酸氢钠0.1 ~ 5.0重量%、

一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1 ~ 5.0重量%、

多元醇型表面活性剂0.1 ~ 5.0重量%、

乙酸钠0.5 ~ 10.0重量%、和

余量的水,

所述环状胺化合物为5-甲基-1H-四唑,

所述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0,其中,对于铜系金属膜的微细图案可形成指数 = 侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。

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