[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用

说明书

本发明提供铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用。上述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，上述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。

技术领域

本发明涉及铜系金属膜的蚀刻液组合物及使用其的显示装置用阵列基板的制造方法、触摸传感器基板的制造方法和铜系金属膜的蚀刻方法。

背景技术

半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂覆、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。

这样的半导体装置中，近年来主要关注金属配线的电阻。这是因为，电阻是诱发RC信号延迟的主要因素，特别是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquidcrystal display，TFT-LCD)的情况下，其决定了面板大小增大和高分辨率实现。因此，为了实现TFT-LCD的大型化中所必要的RC信号延迟的减小，必须开发低电阻物质。因此，实际情况是，以往主要使用的铬(Cr，电阻率：12.7×10^-8Ωm)、钼(Mo，电阻率：5×10^-8Ωm)、铝(Al，电阻率：2.65×10^-8Ωm)及它们的合金难以用于大型TFT LCD中所使用的栅极配线和数据配线等。

在这样的背景下，作为新的低电阻金属膜，高度关注铜膜和铜钼膜等的铜系金属膜及其蚀刻液组合物。但是，针对铜系金属膜的蚀刻液组合物的情况下，目前多种已被使用，但实际情况是，无法满足使用者所要求的性能。

因此，对于如下蚀刻液组合物的要求正在增加：当蚀刻由铜系金属膜构成的单层或多层金属层时，可以一并蚀刻且形成图案，没有蚀刻后的铜系金属膜的界面变形，形成直线性优异的锥角轮廓，因不产生残渣而不发生电短路或配线的不良、亮度的减小等问题。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利公报第10-2010-0090538号(公开日：2010年08月16日，名称：液晶显示装置用阵列基板的制造方法)

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在铜系金属层的湿式蚀刻时根据对于铜系金属膜(比如，铜、铜合金、钼、钼合金)的微细图案可形成指数能够形成微细图案或厚膜图案。

此外，本发明的目的在于，提供一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其能够进行构成薄膜晶体管显示装置的薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)的栅电极和栅极配线以及源电极/漏电极和数据配线的一并蚀刻。

此外，本发明的目的在于，提供一种铜系金属膜的蚀刻方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。

此外，本发明的目的在于，提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。

此外，本发明的目的在于，提供一种触摸传感器基板的制造方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。

解决课题的方法