[发明专利]量子点薄膜的转印方法

摘要

本发明属于显示器件领域，提供了一种量子点薄膜的转印方法。本发明提供的量子点薄膜的转印方法，通过在弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层，使得弹性体印章的表面能增加，由此加大了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能；在完成第一次转移后，通过对弹性体印章进行淬冷，使得弹性体印章的表面在表面处理后的低温环境中产生微裂纹，而印章内部存在的非极性硅流体会经由这些微裂纹扩散到表面，从而降低了弹性体印章的表面能，减弱了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能。由此，通过对弹性体印章前后两次表面处理能够有效提高转印后量子点图案的完整性，同时减少对转印工艺参数的要求，减少工艺成本。

主权项

1.一种量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述转印方法包括如下步骤：/n提供供体基底，在所述供体基底上沉积量子点薄膜；/n提供弹性体印章，对所述弹性体印章进行处理，使所述弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层；/n将所述弹性体印章与所述量子点薄膜共形接触，在朝所述供体基底的方向施加预设压力后，将所述弹性体印章与所述供体基底剥离处理，在所述弹性体印章表面获得量子点薄膜；/n将所述弹性体印章进行淬冷处理，将淬冷后的弹性体印章置于高于淬冷处理的温度中静置处理，使所述弹性体印章的表面产生裂纹；/n将静置处理后的弹性体印章与目标基底共形接触后剥离处理，在所述目标基底上获得图案化量子点薄膜。/n