[发明专利]量子点薄膜的转印方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述转印方法包括如下步骤：

提供供体基底，在所述供体基底上沉积量子点薄膜；

提供弹性体印章，对所述弹性体印章进行处理，使所述弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层；

将所述弹性体印章与所述量子点薄膜共形接触，在朝所述供体基底的方向施加预设压力后，将所述弹性体印章与所述供体基底剥离处理，在所述弹性体印章表面获得量子点薄膜；

将所述弹性体印章进行淬冷处理，将淬冷后的弹性体印章置于高于淬冷处理的温度中静置处理，使所述弹性体印章的表面产生裂纹；

将静置处理后的弹性体印章与目标基底共形接触后剥离处理，在所述目标基底上获得图案化量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的转印方法，其特征在于，提供所述供体基底的方法包括如下步骤：

提供基片，将所述基片进行紫外-臭氧处理后清洗；

在所述基片表面生成反粘层，将所述基片进行清洗后干燥，获得所述供体基底。

3.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，所述弹性体印章的制备包括如下步骤：

将预聚体和固化剂按质量比（5-20）：1混合均匀，在模板上浇注，获得图案化的所述弹性体印章。

4.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，对所述弹性体印章进行处理的处理方式包括紫外-臭氧处理10min-30min或等离子体处理10min-30min。

5.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，所述薄层为有机硅层。

6.如权利要求5所述的转印方法，其特征在于，所述薄层为硅羟基层。

7.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，所述预设压力为5kPa-20kPa。

8.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，将所述弹性体印章与所述供体基底剥离处理的剥离速度为10mm/s-30mm/s。

9.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，将所述弹性体印章进行淬冷处理，静置处理的方法包括如下步骤：

将所述弹性体印章置于淬冷剂中淬冷；

将淬冷后的所述弹性体印章在真空环境或惰性氛围中常温静置。

10.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，将静置处理后的所述弹性体印章与所述目标基底共形接触后剥离处理的剥离速度≤5mm/s 。

11.如权利要求1或2所述的转印方法，其特征在于，所述弹性体印章材料为聚二甲基硅氧烷。