[发明专利]量子点薄膜的转印方法

说明书

本发明属于显示器件领域，提供了一种量子点薄膜的转印方法。本发明提供的量子点薄膜的转印方法，通过在弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层，使得弹性体印章的表面能增加，由此加大了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能；在完成第一次转移后，通过对弹性体印章进行淬冷，使得弹性体印章的表面在表面处理后的低温环境中产生微裂纹，而印章内部存在的非极性硅流体会经由这些微裂纹扩散到表面，从而降低了弹性体印章的表面能，减弱了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能。由此，通过对弹性体印章前后两次表面处理能够有效提高转印后量子点图案的完整性，同时减少对转印工艺参数的要求，减少工艺成本。

技术领域

本发明属于显示器件领域，尤其涉及一种量子点薄膜的转印方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，因而被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷简便且成膜质量好的溶液加工方式，但一般只能用于制备单色发光器件，而在制造全彩发光器件时，必须制备出图案化量子点薄膜。

目前，图案化量子点薄膜的制备方法主要有喷墨打印、3D打印、转印等方式。其中，转印方法通常是先使用旋涂法在供体基底上制备量子点薄膜，再利用弹性体的印章与供体基底共形接触，将印章从供体基底上剥离，得到图案化的薄膜，然后再转印到目标基板上。转印方法一般包含两个转移过程，第一次转移过程是将供体基底上的量子点薄膜部分转移到印章上，得到图案化的量子点薄膜；第二次转移过程是将印章上的薄膜转移到器件基底上。

然而，现有的弹性体印章一般表面能较低，对量子点的吸附能力弱，在完成第一个转移过程中会使薄膜图案存在缺陷，难以将量子点薄膜完整地从供体基底上剥离下来，需要对印章使用较大压力及较快剥离速度，对转印设备及工艺提出了很高的要求，增大了成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点薄膜的转印方法，旨在解决现有的弹性体印章表面能较低，吸附能力弱，在转印过程中会使薄膜图案存在缺陷，且难以将量子点薄膜完整地从供体基底上剥离下来，需要对印章使用较大压力及较快剥离速度，提高了对转印设备及工艺的要求并增大了成本的问题。

本发明提供了一种量子点薄膜的转印方法，该转印方法包括如下步骤：

提供供体基底，在所述供体基底上沉积量子点薄膜；

提供弹性体印章，对所述弹性体印章进行处理，使所述弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层；

将所述弹性体印章与所述量子点薄膜共形接触，在朝所述供体基底的方向施加预设压力后，将所述弹性体印章与所述供体基底剥离处理，在所述弹性体印章表面获得量子点薄膜；

将所述弹性体印章进行淬冷处理，将淬冷后的弹性体印章置于高于淬冷处理的温度中静置处理；

将静置处理后的弹性体印章与目标基底共形接触后剥离处理，在所述目标基底上获得图案化量子点薄膜。

本发明提供的量子点薄膜的转印方法，通过在弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层，使得弹性体印章的表面能增加，由此加大了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能；在完成第一次转移后，通过对弹性体印章进行淬冷处理，使得弹性体印章的表面在表面处理后的低温环境中产生微裂纹，而印章内部存在的非极性硅流体会经由这些微裂纹扩散到表面，从而降低了弹性体印章的表面能，减弱了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能。由此，通过对弹性体印章前后两次表面处理能够有效提高转印后量子点图案的完整性，同时减少对转印工艺参数的要求，减少工艺成本。

附图说明

图1是本发明的实施例提供的转印方法的流程框图；

图2是本发明的实施例提供的对应步骤1的结构示意图；

图3是本发明的实施例提供的对应步骤2的结构示意图；