[发明专利]薄膜晶体管制造方法及阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201710408480.9 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107240550B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/385 | 分类号： | H01L21/385;H01L21/477;H01L21/34;H01L21/84 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法，包括，在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极；采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理，使所述氧化物半导体层的第二区域被掺杂铝离子而形成导体区域；蚀刻掉残留在覆盖所述缓冲层、导体区域所述退火处理后的剩余的铝层；采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理；在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括，在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极；其中所述氧化物半导体层的第一区域的两侧为第二区域并露出所述栅极；采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理，使所述氧化物半导体层的第二区域被掺杂铝离子而形成导体区域；蚀刻掉残留在覆盖所述缓冲层、导体区域的经过所述退火处理后的剩余的铝层；采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理；在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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