[发明专利]薄膜晶体管制造方法及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括，

在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极；其中所述氧化物半导体层的第一区域的两侧为第二区域并露出所述栅极；

采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理，使所述氧化物半导体层的第二区域被掺杂铝离子而形成导体区域；

蚀刻掉残留在覆盖所述缓冲层、导体区域的经过所述退火处理后的剩余的铝层；

采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理；

在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理的步骤中，所述铝层厚度为20～200埃，退火温度为100～400度。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理的步骤中，退火温度为100～400度。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极的步骤包括：

采用等离子化学气沉积方式形成所述缓冲层；

利用物理气相沉积方式在缓冲层上沉积形成氧化物材料层；

以退火温度为150～450℃进行退火处理氧化物材料层；

图案化所述氧化物材料层形成所述氧化物半导体层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极的步骤还包括：

采用等离子化学气沉积方式形成所述栅极绝缘层；

采用物理气相沉积方式在栅极绝缘层上沉积金属层并图案化金属层形成所述栅极。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的复合层；所述栅极材料为铝、钼、铜、钛中的一种或复合金属。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极的步骤包括：采用等离子化学气相沉积工艺沉积所述绝缘层，并通过图案化工艺在绝缘层上形成与所述导体区域连通的通孔；

采用物理气相沉积方式在绝缘层上沉积金属层；

图案化所述金属层形成所述源极和漏极。

8.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述利用物理气相沉积方式在缓冲层上沉积形成氧化物材料层的步骤中，所述氧化物材料层的厚度为300～1000埃。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述缓冲层材料为氧化硅(SIOx)，沉积厚度2000～5500埃。

10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板表面采用如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管制造方法形成薄膜晶体管；

在所述的薄膜晶体管上形成显示元件。