[发明专利]薄膜晶体管制造方法及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管制造方法，包括，在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极；采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理，使所述氧化物半导体层的第二区域被掺杂铝离子而形成导体区域；蚀刻掉残留在覆盖所述缓冲层、导体区域所述退火处理后的剩余的铝层；采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理；在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制造技术领域，尤其涉及薄膜晶体管制造方法及阵列基板的制作方法。

背景技术

TFT LCD(Thin-Film-Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)由于其高速度、高亮度、高对比度等优点，目前已经得到普遍的应用。其中，在顶栅金属氧化物薄膜晶体结构中，可以减少寄生电容的存在具有明显优势，但是，其中的金属导体氧化物薄膜对酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蚀氧化物半导体，而等离子注入掺杂处理稳定性较差，金属掺杂存在氧化物不均匀的问题，所以目前导体化处理工艺是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管制造方法，可以提高金属掺杂在氧化物半导体的均匀性。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法。

本发明的薄膜晶体管制造方法，所述方法包括，在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极；其中所述氧化物半导体层的第一区域的两侧为第二区域并露出所述栅极；

采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理，使所述氧化物半导体层的第二区域被掺杂铝离子形成导体区域；

蚀刻掉残留在覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域的经过所述退火处理后的剩余的铝层；

采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理；

在所述缓冲层、栅极及导体区域上层叠绝缘层并在所述绝缘层上形成通过通孔分别连接两个导体区域的源极和漏极。

其中，所述采用物理气相沉积方法形成覆盖所述缓冲层、氧化物半导体层的第二区域及栅极的铝层，并且对该铝层进行退火处理的步骤中，所述铝层厚度为20～200A，退火温度为100～400度。

所述采用退火对所述缓冲层、栅极及导体区域被蚀刻的表面进行修复以及对导体区域进行氧化处理的步骤中，退火温度为100～400度。

其中，所述在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极的步骤包括：

采用等离子化学气沉积方式形成所述缓冲层；

利用物理气相沉积方式在缓冲层上沉积形成氧化物材料层；

以退火温度为150～450℃进行退火处理氧化物材料层；

图案化所述氧化物材料层形成所述氧化物半导体层。

其中，所述在基板上依次形成缓冲层、氧化物半导体层、依次层叠于所述氧化物半导体层的第一区域上的栅极绝缘层及栅极的步骤还包括：

采用等离子化学气沉积方式形成所述栅极绝缘层；

采用物理气相沉积方式在栅极绝缘层上沉积金属层并图案化金属层形成所述栅极。