[发明专利]一种简易Cu2MoS4量子点材料合成方法

摘要

本发明涉及无机Cu2MoS4材料合成领域，具体涉及一种简易Cu2MoS4量子点材料合成方法；本发明的合成方法包含三个步骤，通过利用廉价的氧化亚铜及乙二醇作为原料，通过溶剂热法成功的制备出了结晶好、纯度高的Cu2MoS4量子点材料。利用冷冻干燥技术，避免了在获取量子点粉体时结块团聚现象，有利于后期的测试及应用。通过X射线技术及投射电子显微技术，成功的证明了所得样品的纯正物相结构。相比较于其他该类材料的合成方法，此方法具有工艺简单，成本低廉，已与大规模生产等特点。该Cu2MoS4量子点可用光电催化及储能器件中。同时本发明提出的合成策略可作为参考，应用于其他三元过渡金属硫族化合物量子点的合成制备中。

主权项

1.一种简易Cu2MoS4量子点材料合成方法，其特征在于：所述合成方法的步骤如下：(1)称取二水合氯化铜和聚乙烯吡咯烷酮溶解在纯水中，磁力搅拌，之后分别加入加氢氧化钠溶液和抗坏血酸溶液，水浴搅拌，经洗涤后干燥，得黄色氧化亚铜粉末；(2)将所述黄色氧化亚铜粉体和四硫代钼酸铵溶解在乙二醇中；超声搅拌分散30min，得到深红色混合溶液，装入反应釜，放入烘箱中，得到紫红色粉体；(3)将所得到的紫红色粉体，进行离心，洗涤，最后真空干燥，得到最终样品。所述步骤(2)中，所述反应釜内的反应温度是180℃，反应时间是24h。