[发明专利]一种简易Cu2MoS4量子点材料合成方法

权利要求书

1.一种简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述合成方法的步骤如下：

(1)称取二水合氯化铜和聚乙烯吡咯烷酮溶解在纯水中，磁力搅拌，之后分别加入加氢氧化钠溶液和抗坏血酸溶液，水浴搅拌，经洗涤后干燥，得黄色氧化亚铜粉末；

(2)将所述黄色氧化亚铜粉体和四硫代钼酸铵溶解在乙二醇中；超声搅拌分散30min，得到深红色混合溶液，装入反应釜，放入烘箱中，得到紫红色粉体；

(3)将所得到的紫红色粉体，进行离心，洗涤，最后真空干燥，得到最终样品。

所述步骤(2)中，所述反应釜内的反应温度是180℃，反应时间是24h。

2.根据权利要求1所述的简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述乙二醇为分析纯，所用纯水为实验用去离子水。

3.根据权利要求1所述的简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中，水浴搅拌温度为55℃，水浴搅拌时间是3h，经离心洗涤后，进行真空干燥。

4.根据权利要求1所述的简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中氯化铜与PVP的质量比为1：2；所述氢氧化钠和抗坏血酸的浓度分别为2.0mol/L、0.6mol/L。

5.根据权利要求1所述的简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述步骤(2)中，氧化亚铜粉末和四硫代钼酸铵的质量比例为1：2，所述乙二醇溶液中乙二醇的体积为20mL，所用反应釜容积为50mL。

6.根据权利要求1所述的简易Cu₂MoS₄量子点材料合成方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述离心洗涤时的转速为20000转/min，真空干燥的温度为60℃，时间为24h。