[发明专利]一种深紫外LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201710388108.6 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN108963037B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吴永军;刘亚柱;唐军;吕振兴 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺;魏玉娇 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州湾*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深紫外LED芯片的制造方法，包括步骤：S1、按照第一指定图形对所述深紫外LED芯片进行Mesa光刻，将Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的N面，未进行Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的P面；S2、将所述深紫外LED芯片外延层的外周按第一预设宽度向下蚀刻至蓝宝石层；S3、在所述P面上按照第二指定图形蒸镀P极金属；S4、在所述N面上蒸镀N极金属；S5、蒸镀绝缘层，并将所述绝缘层按照第三指定图形内的部分进行挖孔去除形成电极孔；S6、按第四指定图形蒸镀焊接第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极通过所述电极孔和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述电极孔和所述N极金属相连，形成所述深紫外LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：S1、按照第一指定图形(a)对所述深紫外LED芯片进行Mesa光刻，将Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的N面，未进行Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的P面；S2、将所述深紫外LED芯片外延层的外周按第一预设宽度向下蚀刻至蓝宝石层；S3、在所述P面上按照第二指定图形(b)蒸镀P极金属；S4、在所述N面上蒸镀N极金属；S5、蒸镀绝缘层，并将所述绝缘层按照第三指定图形(c)内的部分进行挖孔去除形成电极孔(1)；S6、按第四指定图形(d)蒸镀焊接第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极通过所述电极孔(1)和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述电极孔(1)和所述N极金属相连，形成所述深紫外LED芯片。
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