[发明专利]一种深紫外LED芯片的制造方法

说明书

本发明提供一种深紫外LED芯片的制造方法，包括步骤：S1、按照第一指定图形对所述深紫外LED芯片进行Mesa光刻，将Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的N面，未进行Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的P面；S2、将所述深紫外LED芯片外延层的外周按第一预设宽度向下蚀刻至蓝宝石层；S3、在所述P面上按照第二指定图形蒸镀P极金属；S4、在所述N面上蒸镀N极金属；S5、蒸镀绝缘层，并将所述绝缘层按照第三指定图形内的部分进行挖孔去除形成电极孔；S6、按第四指定图形蒸镀焊接第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极通过所述电极孔和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述电极孔和所述N极金属相连，形成所述深紫外LED芯片。

技术领域

本发明涉及LED芯片制造技术领域，特别是涉及一深紫外LED芯片的制造方法。

背景技术

深紫外LED芯片是发光波长在200-350nm范围内的LED芯片，进入蓝光时代后的又一项重大突破。

深紫外光被广泛应用于净水、杀菌消毒、甲醛处理、生化检测等领域，而过去该波段光源主要由汞灯提供，而LED灯在环保、节能、轻便等方面均远远优于传统汞灯，具有极大的市场和全新的应用场景。近年来国外已有少量深紫外LED芯片出售，其售价是普通蓝光LED芯片的1000倍以上，国内该领域仍处于研发阶段，尚无产品出售。

由于GaN层对深紫外光的吸收性，主流的深紫外LED芯片均采用倒装结构，即蓝宝石面出光。深紫外LED芯片由于其外延结构与普通蓝光LED芯片有较大差异，使用传统蓝光倒装LED芯片结构制备的深紫外LED芯片阻抗过高，发光效率低。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种深紫外LED芯片的制造方法，用于解决现有技术中阻抗过高，发光效率低的问题。

本发明提供一种深紫外LED芯片的制造方法，包括步骤：S1、按照第一指定图形对所述深紫外LED芯片进行Mesa光刻，将Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的N面，未进行Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的P面；S2、将所述深紫外LED芯片外延层的外周按第一预设宽度向下蚀刻至蓝宝石层；S3、在所述P面上按照第二指定图形蒸镀P极金属；S4、在所述N面上蒸镀N极金属；S5、蒸镀绝缘层，并将所述绝缘层按照第三指定图形内的部分进行挖孔去除形成电极孔；S6、按第四指定图形蒸镀焊接第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极通过所述电极孔和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述电极孔和所述N极金属相连，形成所述深紫外LED芯片。

于本发明的一实施例中，所述第一指定图形的边界与所述N极金属的边界的距离为7μm-8μm。

于本发明的一实施例中，所述第一预设宽度为4μm-8μm。

于本发明的一实施例中，所述P极金属的边界与所述第一指定图形的边界之间的距离为3μm-7μm。

于本发明的一实施例中，所述步骤S4包括步骤：S41、在所述N面上上下对称各蒸镀六个圆形电极；S42、按照第四指定图形通过金属连接片对所述圆形电极进行连接。

于本发明的一实施例中，所述圆形电极的尺寸为50μm-150μm；所述金属连接片的宽度为5μm-10μm。

于本发明的一实施例中，所述第三指定图形中的所述电极孔包括P孔和N孔，所述P孔的直径为20μm-30μm，所述N孔的直径为40μm-50μm。

于本发明的一实施例中，所述第一金属电极通过所述P孔和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述N孔和所述N极金属相连。

如上所述，本发明的一种深紫外LED芯片的制造方法，具有以下有益效果：

电压低、发光效率高和寿命长。

附图说明