[发明专利]一种深紫外LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1、按照第一指定图形(a)对所述深紫外LED芯片进行Mesa光刻，将Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的N面，未进行Mesa光刻的部分作为所述深紫外LED芯片的P面；

S2、将所述深紫外LED芯片外延层的外周按第一预设宽度向下蚀刻至蓝宝石层，所述第一预设宽度为4μm-8μm；

S3、在所述P面上按照第二指定图形(b)蒸镀P极金属，所述P极金属的边界与所述第一指定图形(a)的边界之间的距离为3μm-7μm；

S4、在所述N面上蒸镀N极金属，所述第一指定图形(a)的边界与所述N极金属的边界的距离为7μm-8μm；

S41、在所述N面上上下对称各蒸镀六个圆形电极(2)，六个圆形电极(2)分为四排，上下各两排，每排三个；在连接时，最下端的三个圆形电极(2)不与其他圆形电极(2)相连，其他九个圆形电极(2)之间均通过金属连接片(3)相连，所述圆形电极(2)的尺寸为50μm-150μm；所述金属连接片(3)的宽度为5μm-10μm；

S42、按照第四指定图形(d)通过金属连接片(3)对所述圆形电极(2)进行连接，所述圆形电极(2)的尺寸为50μm-150μm；所述金属连接片(3)的宽度为5μm-10μm；

S5、蒸镀绝缘层，并将所述绝缘层按照第三指定图形(c)内的部分进行挖孔去除形成电极孔(1)，所述第三指定图形(c)中的所述电极孔(1)包括P孔(11)和N孔(12)，所述P孔(11)的直径为20μm-30μm，所述N孔(12)的直径为40μm-50μm；

S6、按第四指定图形(d)蒸镀焊接第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极通过所述电极孔(1)和所述P极金属相连，所述第二金属电极通过所述电极孔(1)和所述N极金属相连，形成所述深紫外LED芯片。