[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，包含提供基底，在基底中形成一栅极沟槽，沿着第一方向延伸。形成栅极介电层，覆盖该栅极沟槽的底面和侧壁。在该栅极沟槽内填充牺牲层，并于牺牲层中形成开口，暴露出部分该栅极介电层。在该开口内沉积一中介材料层，然后回蚀刻该中介材料层至剩余的该中介材料层仅位于开口的下部，成为一中介层。移除该牺牲层后，形成一栅极金属填充该栅极沟槽，其中该中介层被埋设在该栅极金属与该栅极介电层之间。

主权项

1.一种半导体元件，包含:基底，包含一栅极沟槽，沿一第一方向延伸；栅极介电层，沿着该栅极沟槽的底面和侧壁覆盖；栅极金属，位于该栅极介电层上并且部分填充该栅极沟槽；以及多个中介层，位于该栅极沟槽的一下部，并沿着该第一方向埋设在该栅极金属与该栅极介电层之间。