[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含:

基底，包含一栅极沟槽，沿一第一方向延伸，其中该栅极沟槽包含多个第一区域以及多个第二区域沿着该第一方向交错设置；

栅极介电层，沿着该栅极沟槽的底面和侧壁覆盖；

栅极金属，位于该栅极介电层上并且部分填充该栅极沟槽；以及

多个中介层，位于该栅极沟槽的一下部，并沿着该第一方向埋设在该栅极金属与该栅极介电层之间，该多个中介层彼此分离并分别设置在该多个第二区域中。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该中介层为中空环形柱体。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该中介层为杯状。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该中介层为实心柱体。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一区域的深度d1小于该第二区域的深度d2。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该中介层的高度大于或等于d2-d1。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该基底另包含一绝缘结构，该绝缘结构定义出多个沿着一第二方向延伸的主动区。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该栅极沟槽切过该绝缘结构的部分为该第一区域，切过各该主动区的部分为该第二区域。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该中介层是位于该第二方向上相邻的该主动区的相邻端点之间。

10.一种半导体元件的制作方法，包含:

提供一基底；

形成一栅极沟槽，沿着一第一方向延伸；

形成一栅极介电层，覆盖该栅极沟槽的底面和侧壁；

在该栅极沟槽内填充一牺牲层；

在该牺牲层中形成一开口，暴露出部分该栅极介电层；

在该开口内沉积一中介材料层；

回蚀刻该中介材料层，至剩余的该中介材料层仅位于该开口的一下部，形成一中介层；

移除该牺牲层；以及

形成一栅极金属，填充该栅极沟槽，其中该中介层被埋设在该栅极金属与该栅极介电层之间。

11.如权利要求10所述的制作方法，其中形成该栅极沟槽前，另包含于该基底中形成一绝缘结构，定义出多个沿着一第二方向延伸的主动区。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该栅极沟槽切过该主动区的部分具有一深度d1，切过该绝缘结构的部分具有一深度d2，d1小于d2。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中该开口位于该第二方向上相邻的该主动区的两相邻端点之间。

14.如权利要求12所述的制作方法，其中该中介层的高度大于或等于d2-d1。

15.如权利要求10所述的制作方法，其中该中介层是由原子层沉积制作工艺形成。

16.如权利要求10所述的制作方法，其中该回蚀刻前，该中介材料层是沿着该开口的侧壁和底部沉积至部分填充该开口。

17.如权利要求10所述的制作方法，其中该回蚀刻前，该中介材料层完全填充该开口。