[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201710379063.6 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107689395B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。
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