[发明专利]半导体器件和方法

说明书

提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件和方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化各个材料层，以在各个材料层上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小化部件尺寸来继续提高各种电子组件(如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定的面积中。然而，随着最小部件尺寸减小，应该解决产生的额外的问题。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件包括栅电极；在所述半导体鳍上方并且邻近所述栅极堆叠件形成第一间隔件；去除所述半导体鳍的被所述第一间隔件暴露的部分；再生长源极/漏极区；形成开口以暴露所述源极/漏极区的部分；在所述栅极堆叠件上方形成注入掩模，其中，在形成所述注入掩模之后，所述源极/漏极区的被所述开口暴露的所述部分保持被暴露；以及在所述源极/漏极区和所述第一间隔件内直接注入第一掺杂剂。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种半导体器件，包括：邻近栅电极的第一间隔件，位于衬底上方，所述第一间隔件具有远离所述栅电极的第一侧壁，所述第一侧壁包括：邻近所述衬底的第一直部；和邻近所述第一直部的第二直部，其中，所述第二直部远离所述衬底以与所述第一直部不同的角度延伸；第一注入区，沿着所述第二直部中的所述第一侧壁；源极/漏极区，邻近所述第一直部；以及第一接触件，与所述源极/漏极区电连接并且至少部分地在所述第一间隔件上方延伸。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1示出了根据一些实施例的形成FinFET器件的工艺中的步骤。

图2A至图2B示出了根据一些实施例的源极/漏极区的形成。

图3示出了根据一些实施例的第一开口的形成。

图4示出了根据一些实施例的注入工艺。

图5示出了根据一些实施例的第一接触件的形成。

图6A至图6B示出了根据一些实施例的层间电介质的形成之前的注入。

图7示出了根据一些实施例的接缝的形成。

具体实施方式