[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

邻近第一间隔件制造第一源极/漏极区，所述第一间隔件邻近栅电极；

形成暴露所述第一源极/漏极区的开口；以及

在形成所述开口之后，在所述第一源极/漏极区和所述第一间隔件内注入掺杂剂，其中，注入所述掺杂剂在所述第一间隔件内形成第一注入区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂是n型掺杂剂或p型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成暴露所述第一源极/漏极区的所述开口还去除所述第一间隔件的部分以形成第一倾斜侧壁。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一倾斜侧壁具有在10°和85°之间的角度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一注入区从所述第一倾斜侧壁的表面具有在和之间的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括退火所述第一源极/漏极区以激活所述掺杂剂，其中，退火所述第一源极/漏极区在所述第一间隔件内形成与所述第一注入区至少部分地重叠的第二注入区。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述开口内形成导电材料。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件包括栅电极；

在所述半导体鳍上方并且邻近所述栅极堆叠件形成第一间隔件；

去除所述半导体鳍的被所述第一间隔件暴露的部分；

再生长源极/漏极区；

形成开口以暴露所述源极/漏极区的部分；

在所述栅极堆叠件上方形成注入掩模，其中，在形成所述注入掩模之后，所述源极/漏极区的被所述开口暴露的所述部分保持被暴露；以及

在所述源极/漏极区和所述第一间隔件内直接注入第一掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述开口附加地使所述第一间隔件的侧壁成角度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述开口之后，所述第一间隔件的所述侧壁具有在10°和85°之间的第一角度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，直接注入所述第一掺杂剂在所述第一间隔件内邻近所述侧壁形成第一注入区。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括在直接注入所述第一掺杂剂之后，利用导电材料填充所述开口。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一间隔件包括氮化硅以及所述第一掺杂剂是具有第一导电性的掺杂剂。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括退火所述源极/漏极区。

15.一种半导体器件，包括：

邻近栅电极的第一间隔件，位于衬底上方，所述第一间隔件具有远离所述栅电极的第一侧壁，所述第一侧壁包括：

邻近所述衬底的第一直部；和

邻近所述第一直部的第二直部，其中，所述第二直部远离所述衬底以与所述第一直部不同的角度延伸；

第一注入区，沿着所述第二直部中的所述第一侧壁；

源极/漏极区，邻近所述第一直部；以及

第一接触件，与所述源极/漏极区电连接并且至少部分地在所述第一间隔件上方延伸。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括位于所述第一注入区和所述源极/漏极区内的第一掺杂剂。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件包括氮化硅。