[发明专利]微发光二极管阵列基板的封装结构在审
| 申请号： | 201710370182.5 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170772A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构，包括基板、设于所述基板上的微发光二极管阵列、设于所述基板上方并覆盖所述微发光二极管阵列的保护层；所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管；所述基板的上表面上、或所述保护层的下表面上设有数个凹槽，所述数个微发光二极管容置于所述数个凹槽中；能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板，并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的微发光二极管阵列(3)、设于所述基板(1)上方并覆盖所述微发光二极管阵列(3)的保护层(2)；所述微发光二极管阵列(3)包括数个阵列排布的微发光二极管(31)；所述基板(1)的上表面上、或所述保护层(2)的下表面上设有数个凹槽(51)，所述数个微发光二极管(31)容置于所述数个凹槽(51)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
