[发明专利]微发光二极管阵列基板的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管阵列基板的封装结构。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能，Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。

由于晶格匹配的原因，Micro LED器件必须先在蓝宝石类的供给基板上通过分子束外延的方法生长出来，随后通过激光剥离(Laser lift-off，LLO)技术将微发光二极管裸芯片(bare chip)从供给基板上分离开，然后通过微转印(Micro Transfer Print，NTP)技术将其转移到已经预先制备完成电路图案的接受基板上，形成Micro LED阵列，进而做成Micro LED显示面板。其中，微转印的基本原理大致为：使用具有图案化的传送头(Transfer head)，例如具有凸起结构的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)类传送头，通过具有粘性的PDMS传送层(Transfer layer)将Micro LED bare chip从供给基板吸附起来，然后将PDMS传送头与接受基板进行对位，随后将PDMS传送头所吸附的Micro LED bare chip贴附到接受基板预设的位置上，再将PDMS传送头从接受基板上剥离，即可完成Micro LED bare chip的转移，形成Micro LED阵列基板，进一步地，所述接受基板是已经预先制备完成电路图案的硅基板，其可以为柔性也可以为刚性。

在现有Micro LED显示面板的制作过程中，为了保护Micro LED及其下方的驱动基板，并改善Micro LED阵列的发光效果，提出一种新的Micro LED阵列基板的封装结构，是本领域亟需解决的技术问题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构，能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板，并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。

为实现上述目的，本发明提供了一种微发光二极管阵列基板的封装结构，包括基板、设于所述基板上的微发光二极管阵列、设于所述基板上方并覆盖所述微发光二极管阵列的保护层；

所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管；

可选地，所述基板的上表面上、或所述保护层的下表面上设有数个凹槽，所述数个微发光二极管容置于所述数个凹槽中。

所述数个凹槽设于所述基板的上表面上，所述保护层为玻璃、或塑料材料的板材，所述保护层的厚度大于1mm。

可选地，所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，还包括设于所述基板与所述保护层之间的数个支撑柱，所述数个支撑柱设于所述基板上，以对所述保护层进行支撑。

可选地，所述数个凹槽设于所述基板的上表面上，所述保护层为通过涂布工艺形成在所述基板上的有机膜层。

所述数个凹槽与所述数个微发光二极管一一对应设置，每一凹槽的深度大于其内容置的微发光二极管的高度。

每一凹槽的槽壁上均设有反射层。

可选地，所述数个凹槽设于所述保护层的下表面上，所述保护层为玻璃、或塑料材料的板材，所述保护层的厚度大于1mm。

所述数个凹槽通过激光打孔、或压印的方式形成于所述保护层的下表面上；

所述凹槽的侧壁为弧面状，所述凹槽的槽口为圆形、或椭圆形。

每一凹槽对应覆盖一个或多个微发光二极管。

所述基板为TFT阵列基板。