[发明专利]微发光二极管阵列基板的封装结构

权利要求书

1.一种微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的微发光二极管阵列(3)、设于所述基板(1)上方并覆盖所述微发光二极管阵列(3)的保护层(2)；

所述微发光二极管阵列(3)包括数个阵列排布的微发光二极管(31)；

所述基板(1)的上表面上、或所述保护层(2)的下表面上设有数个凹槽(51)，所述数个微发光二极管(31)容置于所述数个凹槽(51)中。

2.如权利要求1所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述数个凹槽(51)设于所述基板(1)的上表面上，所述保护层(2)为玻璃、或塑料材料的板材，所述保护层(2)的厚度大于1mm。

3.如权利要求2所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，还包括设于所述基板(1)与所述保护层(2)之间的数个支撑柱(41)，所述数个支撑柱(41)设于所述基板(1)上，以对所述保护层(2)进行支撑。

4.如权利要求1所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述数个凹槽(51)设于所述基板(1)的上表面上，所述保护层(2)为通过涂布工艺形成在所述基板(1)上的有机膜层。

5.如权利要求2或4所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述数个凹槽(51)与所述数个微发光二极管(31)一一对应设置，每一凹槽(51)的深度大于其内容置的微发光二极管(31)的高度。

6.如权利要求2或4所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，每一凹槽(51)的槽壁上均设有反射层(52)。

7.如权利要求1所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述数个凹槽(51)设于所述保护层(2)的下表面上，所述保护层(2)为玻璃、或塑料材料的板材，所述保护层(2)的厚度大于1mm。

8.如权利要求7所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述数个凹槽(51)通过激光打孔、或压印的方式形成于所述保护层(2)的下表面上；

所述凹槽(51)的侧壁为弧面状，所述凹槽(51)的槽口为圆形、或椭圆形。

9.如权利要求7所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，每一凹槽(51)对应覆盖一个或多个微发光二极管(31)。

10.如权利要求1所述的微发光二极管阵列基板的封装结构，其特征在于，所述基板(1)为TFT阵列基板。