[发明专利]快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制造方法，在刻蚀浮栅层和浮栅氧化层后的开口底部的半导体衬底中形成源区或漏区之后，且在所述开口中沉积第二侧墙材料之前，增加了一步对有源区与浅沟槽隔离区交界处由于有源区凹陷而露出的浮栅进行表面修复处理的操作，因此可以修复开口有源区凹陷区域浮栅侧壁的损伤，为第二侧墙的材料沉积提供良好的工艺表面，进而可以解决由于浅沟槽隔离结构边界的有源区凹陷而引起的浮栅与源线之间较差隔离性的问题，提高了快闪存储器的数据保持能力。

主权项

1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成浮栅氧化层、浮栅层以及层间介质层；/n刻蚀所述层间介质层，并停止至所述浮栅层表面，以形成开口；/n在所述开口的侧壁上形成第一侧墙；/n以所述第一侧墙为掩膜，继续刻蚀所述开口中的浮栅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，所述开口的底部暴露的半导体衬底中的有源区与浅沟槽隔离区交界处产生有源区凹陷；/n对所述开口底部暴露的半导体衬底进行离子掺杂，以形成源区或漏区；/n对所述开口的侧壁底部进行表面修复处理，以在所述开口中的浮栅层的侧壁以及有源区凹陷的表面生成绝缘介质，所述绝缘介质填满所述有源区凹陷；/n在所述开口的浮栅层和浮栅氧化层的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖在所述绝缘介质和部分第一侧墙上，且所述第二侧墙的高度从所述有源区凹陷向上，经浮栅氧化层、浮栅层延伸至第一侧墙上。/n