[发明专利]快闪存储器的制造方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成浮栅氧化层、浮栅层以及层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，并停止至所述浮栅层表面，以形成开口；

在所述开口的侧壁上形成第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，继续刻蚀所述开口中的浮栅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，所述开口的底部暴露的半导体衬底中的有源区与浅沟槽隔离区交界处产生有源区凹陷；

对所述开口底部暴露的半导体衬底进行离子掺杂，以形成源区或漏区；

对所述开口的侧壁底部进行表面修复处理，以在所述开口中的浮栅层的侧壁以及有源区凹陷的表面生成绝缘介质，所述绝缘介质填满所述有源区凹陷；

在所述开口的浮栅层和浮栅氧化层的侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖在所述绝缘介质和部分第一侧墙上，且所述第二侧墙的高度从所述有源区凹陷向上，经浮栅氧化层、浮栅层延伸至第一侧墙上。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，提供半导体衬底的步骤包括：

提供一半导体衬底基底，在所述半导体基底上依次形成浮栅氧化层、浮栅层以及垫氮化层；

依次刻蚀所述垫氮化层、浮栅层、浮栅氧化层和半导体基底，形成浅沟槽，以在所述半导体基底中定义出有源区；

在所述浅沟槽表面生长衬氧化层，并在所述浅沟槽中填充满绝缘介质材料，并平坦化所述绝缘介质材料表面以与所述垫氮化层表面齐平，以形成浅沟道隔离结构；

采用湿法刻蚀工艺去除所述垫氮化层。

3.如权利要求1或2所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氮化硅和/或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料选自氧化硅和/或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述表面修复处理包括氧化处理和/或氮氧化处理。

6.如权利要求5所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化处理包括热氧化工艺和/或原位蒸气生成工艺，所述氮氧化处理为采用氮氧化物气体进行氮氧化处理的工艺。

7.如权利要求6所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述热氧化工艺的工艺气体包括氧气，工艺温度为600℃至1100℃；所述原位蒸气生成工艺的工艺气体包括氢气与氧气；所述氮氧化处理的工艺气体包括一氧化二氮、氧化氮和二氧化氮中的至少一种，工艺温度为900℃～1200℃，工艺时间为30s～150s。

8.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第二侧墙的步骤包括：

在所述开口表面以及所述层间介质层表面沉积所述第二侧墙的材料；

对沉积的所述第二侧墙的材料进行增强性退火；

刻蚀沉积的所述第二侧墙的材料，以在所述开口中形成所述第二侧墙，所述第二侧墙覆盖在浮栅氧化层、浮栅层以及部分第一侧墙的侧壁上。

9.如权利要求8所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述增强性退火的工艺气体包括氧气、氮气、一氧化二氮、氧化氮、二氧化氮和氨气中的至少一种。

10.如权利要求9所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述增强性退火的温度为800℃～1200℃，退火时间为30s～150s。