[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法有效
| 申请号： | 201710369401.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170908B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，通过在外延片的n型层上依次层叠设置发光层和NiO空穴传输层，电子和空穴在发光层中复合发光，由于发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，HC(NH2)2PbBr3层替代多量子阱结构作为发光层应用于GaN基LED中，可避免Efficiency droop效应，提高LED器件的发光效率，此外，采用HC(NH2)2PbBr3层发光，相比现有的发光层还具有色域广、色纯度高、功耗低、成本低和易于加工等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，所述n型层为n型GaN层；其中，所述NiO空穴传输层的厚度为10nm～100nm，所述NiO空穴传输层采用磁控溅射法在所述发光层上形成，溅射的功率为100～200W，时间为0.5～2小时，反应腔内的气压为1Pa～10Pa，氩气的流量为10～50sccm，氧气的流量为1～10sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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