[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法有效
| 申请号： | 201710369401.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170908B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u-GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述HC(NH2)2PbBr3层的厚度为10nm～300nm。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述NiO空穴传输层的厚度为10nm～100nm。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括GaN缓冲层，所述GaN缓冲层设置在所述衬底和所述u-GaN层之间。
5.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次外延生长u-GaN层和n型层；
在所述n型层上形成发光层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层；
在所述发光层上形成NiO空穴传输层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述n型层上形成发光层包括：
在所述n型层上形成PbBr2薄膜；
将形成有PbBr2薄膜的衬底浸于HC(NH2)2I的异丙醇溶液中，取出所述形成有PbBr2薄膜的衬底，对所述形成有PbBr2薄膜的衬底加热以形成所述HC(NH2)2PbBr3层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述HC(NH2)2I的异丙醇溶液的浓度为8～12mg/ml。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述n型层上形成PbBr2薄膜包括：
在所述n型层上旋涂PbBr2溶液；
加热旋涂有PbBr2溶液的衬底，以在所述n型层上形成所述PbBr2薄膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述PbBr2溶液的浓度为0.7～1.2mol/L。
10.根据权利要求5～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述发光层上形成NiO空穴传输层包括：
采用磁控溅射法在所述发光层上形成所述NiO空穴传输层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
