[发明专利]三维电感器结构以及包括其的堆叠半导体器件在审

专利信息
申请号: 201710367949.9 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107452709A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 尹元柱;姜锡龙;辛尚勋;柳慧承;李贤义;郑载勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种三维(3D)电感器结构包括第一半导体管芯,其包括第一导电图案以及与第一导电图案间隔开的第二导电图案;堆叠在第一半导体管芯上的第二半导体管芯,第二半导体管芯包括第三导电图案、与第三导电图案间隔开的第四导电图案、穿透第二半导体管芯并将第一导电图案与第三导电图案电连接的第一穿通衬底通路(TSV)、以及穿透第二半导体管芯并将第二导电图案与第四导电图案电连接的第二TSV;以及第一导电连接图案,其被包括在第一半导体管芯中并将第一导电图案的第一端与第二导电图案的第一端电连接,或者被包括在第二半导体管芯中并将第三导电图案的第一端与第四导电图案的第一端电连接。
搜索关键词: 三维 电感器 结构 以及 包括 堆叠 半导体器件
【主权项】:
一种三维电感器结构,包括:第一半导体管芯,其包括:第一导电图案;以及第二导电图案,其与所述第一导电图案间隔开;第二半导体管芯,其被堆叠在所述第一半导体管芯上,所述第二半导体管芯包括:第三导电图案;第四导电图案,其与所述第三导电图案间隔开;第一穿通衬底通路,其穿透所述第二半导体管芯并将所述第一导电图案与所述第三导电图案电连接;以及第二穿通衬底通路,其穿透所述第二半导体管芯并将所述第二导电图案与所述第四导电图案电连接,以及第一导电连接图案,其被包括在所述第一半导体管芯中并将所述第一导电图案的第一端与所述第二导电图案的第一端电连接,或者被包括在所述第二半导体管芯中并将所述第三导电图案的第一端与所述第四导电图案的第一端电连接。
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