[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710367857.0 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107871718B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 吴集锡;叶德强;陈宪伟;陈洁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一个实施例是一种方法，该方法包括在第一晶圆中形成第一无源器件，在第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层，在第一介电层中形成多个第一接合焊盘，平坦化第一介电层和多个第一接合焊盘以使第一介电层和多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平，将第一器件管芯混合接合至第一介电层和多个第一接合焊盘中的至少一些，并且将第一器件管芯密封在第一密封剂中。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：/n在第一晶圆中形成第一无源器件；/n在所述第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层；/n在所述第一介电层中形成多个第一接合焊盘；/n平坦化所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘以使所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平；/n将第一器件管芯混合接合至所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘中的至少一些，所述第一器件管芯中的金属焊盘与所述第一接合焊盘对齐；以及/n将所述第一器件管芯密封在第一密封剂中。/n
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