[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体封装件的方法，包括：

在第一晶圆中形成第一无源器件；

在所述第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层；

在所述第一介电层中形成多个第一接合焊盘；

平坦化所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘以使所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平；

将第一器件管芯混合接合至所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘中的至少一些，所述第一器件管芯中的金属焊盘与所述第一接合焊盘对齐；以及

将所述第一器件管芯密封在第一密封剂中。

2.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

在所述多个第一接合焊盘中的一个上形成第一贯通孔，所述第一贯通孔密封在所述第一密封剂中。

3.根据权利要求2所述的形成半导体封装件的方法，其中，在所述多个第一接合焊盘中的一个上形成所述第一贯通孔包括：

在所述密封之前，在所述多个第一接合焊盘中的所述一个上镀所述第一贯通孔。

4.根据权利要求2所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

在所述第一器件管芯、所述第一贯通孔和所述第一密封剂上方形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成多个第二接合焊盘，所述多个第二接合焊盘中的至少一个电连接至所述第一贯通孔；以及

将封装件结构接合至所述多个第二接合焊盘。

5.根据权利要求2所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

在所述第一器件管芯、所述第一贯通孔和所述第一密封剂上方形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成多个第一接触焊盘，所述多个第一接触焊盘中的至少一个电连接至所述第一贯通孔；

在所述多个第一接触焊盘中的一个上形成第三贯通孔；

将第二器件管芯粘合在所述第二介电层上；

将所述第二器件管芯和所述第三贯通孔密封在第二密封剂中；

在所述第二器件管芯、所述第三贯通孔和所述第二密封剂上方形成第三介电层；以及

在所述第三介电层中形成第一金属化图案，所述第一金属化图案电连接至所述第三贯通孔和所述第二器件管芯。

6.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

形成从所述第一侧延伸到所述第一晶圆中的第二贯通孔。

7.根据权利要求6所述的形成半导体封装件的方法，其中，所述第一无源器件和所述第二贯通孔在相同的处理步骤中形成。

8.根据权利要求6所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

削薄所述第一晶圆的第二侧以暴露所述第二贯通孔的端部；以及

在所述第二贯通孔的暴露的端部上形成导电连接件。

9.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其中，所述第一无源器件包括电容器、电阻器、电感器或它们的组合。

10.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，还包括：

从所述第一晶圆的第二侧激光钻孔以形成穿过所述第一晶圆的开口，穿过所述第一晶圆的所述开口暴露所述第一晶圆的所述第一侧上的导电部件；

在所述开口中并且沿着所述第一晶圆的所述第二侧形成电连接件；以及

在所述电连接件上形成导电连接件。