[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

一个实施例是一种方法，该方法包括在第一晶圆中形成第一无源器件，在第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层，在第一介电层中形成多个第一接合焊盘，平坦化第一介电层和多个第一接合焊盘以使第一介电层和多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平，将第一器件管芯混合接合至第一介电层和多个第一接合焊盘中的至少一些，并且将第一器件管芯密封在第一密封剂中。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体产业经历了快速发展。对于大部分而言，集成密度的改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多的组件集成到给定的区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小和更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，将顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以提供高水平的集成和组件密度。PoP技术通常使得能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强的功能和小占用面积的半导体器件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一晶圆中形成第一无源器件；在所述第一晶圆的第一侧上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成多个第一接合焊盘；平坦化所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘以使所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘的顶面彼此齐平；将第一器件管芯混合接合至所述第一介电层和所述多个第一接合焊盘中的至少一些；以及将所述第一器件管芯密封在第一密封剂中。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：形成第一封装件，包括：在第一晶圆中形成无源器件和贯通孔；在所述第一晶圆的第一侧上方形成第一再分布结构，所述第一再分布结构包括第一介电层中的多个第一接合焊盘，所述多个第一接合焊盘的顶面与所述第一介电层的顶面共面；在所述多个第一接合焊盘中的一个上形成第一电连接件；将第一器件管芯接合至所述第一再分布结构，所述第一器件管芯的介电层接合至所述第一介电层，并且所述第一器件管芯中的金属焊盘通过金属至金属接合接合至所述多个第一接合焊盘；以及将所述第一器件管芯密封在第一模塑料中。

本发明的又一实施例提供了一种半导体封装件结构，包括：第一衬底，包括第一无源器件和第一贯通孔，所述第一无源器件嵌入在所述第一衬底中，所述第一贯通孔延伸穿过所述第一衬底；第一再分布结构，位于所述第一衬底的第一侧上，所述第一再分布结构包括：多个金属化图案，包括多个第一接合焊盘；以及多个第一介电层，其中，所述多个金属化图案位于所述多个第一介电层中，并且所述多个第一介电层包括第一介电层，其中，所述第一介电层的第一表面与所述多个第一接合焊盘的第一表面共面；以及器件管芯，包括：多个第二接合焊盘，通过金属至金属接合接合至所述多个第一接合焊盘；以及多个第二介电层，包括第二介电层，其中，所述第二介电层具有与所述多个第二接合焊盘的第二表面共面的第二表面，其中，所述第一介电层通过电介质至电介质接合接合至所述第二介电层。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图13示出根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

图14示出根据一些实施例的包括穿过晶圆的开口的封装件结构的截面图。

图15示出根据一些实施例的包括单个集成电路管芯的封装件结构的截面图。

图16至图23示出根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

具体实施方式