[发明专利]具有局限细丝形成的电阻性存储器有效
| 申请号： | 201710362821.3 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN107195778B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 尤金·P·马什;刘峻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述具有局限细丝形成的电阻性存储器。一或多个方法实施例包含：在具有硅材料及所述硅材料上的氧化物材料的堆叠中形成开口；及在所述开口中邻近所述硅材料形成氧化物材料，其中形成于所述开口中的所述氧化物材料将所述电阻性存储器单元中的细丝形成局限于通过形成于所述开口中的所述氧化物材料围封的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局限 细丝 形成 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
一种处理电阻性存储器单元(116,228,336,440)的方法，其包括：在具有硅材料(104,204,304,404)及所述硅材料(104,204,304,404)上的氧化物材料(106,206,306,406)的堆叠(100,200,300,400)中形成开口(108,208,308,408)；及在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述硅材料(104,204,304,404)形成氧化物材料(112,212)，其中在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述硅材料(104,204,304,404)形成所述氧化物材料(112,212)包含：氧化邻近所述开口(108,208,308,408)的所述硅材料(104,204,304,404)；及形成于所述开口(108,208,308,408)中的所述氧化物材料(112,212)将所述电阻性存储器单元(116,228,336,440)中的细丝形成局限于通过形成于所述开口(108,208,308,408)中的所述氧化物材料(112,212)围封的区域。
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