[发明专利]具有局限细丝形成的电阻性存储器

说明书

本文描述具有局限细丝形成的电阻性存储器。一或多个方法实施例包含：在具有硅材料及所述硅材料上的氧化物材料的堆叠中形成开口；及在所述开口中邻近所述硅材料形成氧化物材料，其中形成于所述开口中的所述氧化物材料将所述电阻性存储器单元中的细丝形成局限于通过形成于所述开口中的所述氧化物材料围封的区域。

分案申请信息

本发明专利申请是申请日为2013年5月7日、申请号为201380024006.6、发明名称为“具有局限细丝形成的电阻性存储器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更特定来说涉及具有局限细丝形成的电阻性存储器。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可抽换式装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻性(例如，电阻可变)存储器等。电阻性存储器的类型包含可编程导体存储器、电阻性随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM；也称为磁性随机存取存储器)及导电桥接随机存取存储器(CBRAM)等。

针对需要高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的广泛范围的电子应用，存储器装置(例如电阻性存储器装置)可用作为非易失性存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、便携式记忆棒、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数字相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置中。数据(例如程序代码)、用户数据及/或系统数据(例如基本输入/输出系统(BIOS))通常存储于非易失性存储器装置中。

电阻性存储器(例如RRAM)包含可基于存储元件(例如，具有可变电阻的电阻性存储器元件)的电阻状态存储数据的电阻性存储器单元。因而，电阻性存储器单元可经编程以通过改变电阻性存储器元件的电阻电平而存储对应于目标数据状态的数据。可通过施加电场或能量的源(例如正或负电脉冲)到电阻性存储器单元(例如，到所述单元的电阻性存储器元件)达特定持续时间而将所述单元编程到例如对应于特定电阻状态的目标数据状态。电脉冲可为(例如)正或负电压或电流脉冲。

可针对电阻性存储器单元设定若干数据状态(例如，电阻状态)中的一者。例如，单电平单元(SLC)可经编程到两个数据状态中的一者(例如，逻辑1或0)，这可取决于所述单元是否编程到高于或低于特定电平的电阻。作为额外实例，多种电阻性存储器单元可经编程到对应于多个数据状态的多个不同电阻状态中的一者。此类单元可称为多状态单元、多数字单元及/或多电平单元(MLC)，且可表示数据的多个二进制数(例如，10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等)。

电阻性存储器单元(例如RRAM单元)可包含形成于其中的导电细丝。导电细丝可用作为单元的(例如，单元的电阻性存储器元件的)电阻性切换元件。

发明内容