[发明专利]具有局限细丝形成的电阻性存储器

权利要求书

1.一种处理电阻性存储器单元(116,228,336,440)的方法，其包括：

在具有硅材料(104,204,304,404)及所述硅材料(104,204,304,404)上的第一氧化物材料(106,206,306,406)的堆叠(100,200,300,400)中形成开口(108,208,308,408)；及

通过氧化邻近所述开口(108,208,308,408)的所述硅材料(104,204,304,404)在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述硅材料(104,204,304,404)形成第二氧化物材料(112,212)；及

形成于所述开口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)将所述电阻性存储器单元(116,228,336,440)中的细丝形成局限于通过形成于所述开口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)围封的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含在所述开口(108,208,308,408)中邻近经氧化的硅材料(104,204,304,404)及所述第一氧化物材料形成离子源材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含：

在所述开口(108,208,308,408)中邻近经氧化的硅材料(104,204,304,404)及所述第一氧化物材料(106,206,306,406)形成电阻性存储器材料(102,224,302,424)；及

在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述电阻性存储器材料(102,224,302,424)及在通过形成于所述开口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)围封的所述区域中形成离子源材料(114,226,314,426)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中邻近所述开口(108,208,308,408)氧化所述硅材料(104,204,304,404)包含消耗界定所述开口(108,208,308,408)的侧壁的硅材料(104,204,304,404)的侧。

5.一种处理电阻性存储器单元(116,228,336,440)的方法，其包括：

在垂直堆叠(100,200,300,400)中形成开口(108,208,308,408)，所述垂直堆叠具有电极(222,422)、所述电极(222,422)上的硅材料(104,204,304,404)及所述硅材料(104,204,304,404)上的氧化物材料(106,206,306,406)；

邻近所述开口(108,208,308,408)氧化所述硅材料(104,204,304,404)，其中邻近所述开口(108,208,308,408)氧化所述硅材料(104,204,304,404)是在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述电极(222,422)上形成二氧化硅材料(332,432)，所述二氧化硅材料将所述电阻性存储器单元(116,228,336,440)中的细丝形成局限于通过所述二氧化硅材料(332,432)围封的区域；

在所述开口(108,208,308,408)中在所述电极上且邻近所述二氧化硅材料(332,432)及所述氧化物材料(106,206,306,406)形成电阻性存储器材料(102,224,302,424)，及

在所述开口(108,208,308,408)中邻近所述电阻性存储器材料(102,224,302,424)上且在所述二氧化硅材料围封的区域中形成离子源材料(114,226,314,426)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述氧化物材料(106,206,306,406)为二氧化硅。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述氧化物材料(106,206,306,406)为二氧化锆。